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Qualcomm vient de présenter sa nouvelle puce Snapdragon 835 qui sera fabriquée par Samsung et gravée en 10 nm FinFet.
Par rapport à la précédente génération, ce nouveau processeur est 30% plus compact, 40% moins énergivore à puissance égale et 27% plus performant.
L’utilisation de la gravure en 10 nm devrait permettre au Snapdragon 835 d’augmenter ses performances tout en permettant d’ajouter un certain nombre de fonctionnalités qui améliorent l’expérience utilisateur des appareils mobiles de demain.
Le nouveau SoC du fondeur américain supporte la technologie Quick Charge 4 qui est encore 20% plus rapide que la version précédente.
Comptez 5 heures d’autonomie en seulement 5 minutes de charge.
Quick Charge 4 utilise pour cela un double système de chargement et exploite la technologie INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage).
Cette dernière permet de tenir compte de la température de la batterie pour ajuster la charge.
Qualcomm n’a pas encore dévoilé la vitesse de sa nouvelle puce mais a précisé que sa mise en production allait débuter, histoire d’équiper les prochains terminaux qui seront dévoilés au CES de Las Vegas et au MWC de Barcelone en 2017.
Heureusement que Samsung est là pour la finesse de gravure.
Ça promet pour le ou les S8 (sûrement le 1er flagship qui en sera équipé)